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化學氣相沉積

簡要描述：化學氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環境中制造高質量與高性能的固體材料。因此，該制程通常在半導體工業中用于制造薄膜。

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  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2025-10-20
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詳細介紹

品牌其他品牌應用領域環保,化工,電子/電池

CVD 化學氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境中製造高質量與高性能的固體材料。因此，該製程通常在半導體工業中用於製造薄膜。

化學氣相沉積

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Figure 1:化學氣相沉積的步驟

在典型的CVD中，將前驅物在室溫下進料到反應腔體中。當它們與加熱的基板接觸時，它們發生反應或分解以形成薄膜，並沉積在基材上。在此過程中，還會產生副產物，這些副產物可通過流經反應腔體的氣流除去。其製程溫度非常重要，會影響其化學反應。

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Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積的步驟


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